作者：今月曾经照古河
燈光也向入口處聚攏。
陳延森步伐不快，神色平靜。
他穿着一身深灰色西裝，沒有任何誇張設計，連領帶都極爲素雅。
手腕上，戴着一塊三十多萬的百達翡麗腕錶，跟他的身份極爲不搭。
但這是宋允澄當初拿出三個月工資和獎金，給他買的禮物。
顯然，陳老闆也沒有換表的想法。
見他踱步走來，第一排的手機廠商代表接連起身。
“陳總。”
“陳先生。”
“Boss。”
稱呼各不相同。
陳延森微微頷首，逐一回應着腥说膯柡颉�
整個大廳裏，所有人的目光都跟隨着他的身影移動。
這個看上去只有二十多歲的男人，用了不到十年時間，就站在了全球科技行業的最頂端。
他走過的地方，所有人都會自發地起身。
這便是陳延森眼下的商界地位！
“金代表，你有沒有發現，陳延森的長相似乎就沒老過？我六年前見過他，當時他也是這副模樣。”
SK海力士副總裁韓俊勳壓低聲音，衝一旁的山星電子高層金敏哲問道。
“是嗎？可能是保養得比較好吧。”
金敏哲笑了笑，打了個哈哈。
他是山星的高層，而山星又是橙子醫療在高麗的最大藥品經銷商。
因此，他很清楚三星李家核心成員身上發生的變化。
那些人，一個個都年輕了十幾歲，甚至幾十歲不等。
他心裏非常篤定，橙子醫療除了TLN-01衡端素，必然還有藥效更好的抗衰老藥物。
要不然，根本無法解釋，山星上一代掌門人爲什麼會越活越年輕。
再參考北美中樞司的話事人喬納德，很多問題便不言而喻了。
所以，在金敏哲看來，韓俊勳這種帶着答案來提問的行爲，多半是想套自己的話。
韓俊勳見金敏哲不接招，乾笑一聲，又把頭轉了回去。
下午一點整。
會展中心的燈光驟然熄滅。
大屏幕上，一張電子顯微鏡下的硅晶片圖像緩緩旋轉，密密麻麻的晶體管陣列井然有序地排列着。
“大家好，感謝各位遠道而來，參加天工科技的新品發佈會！”
一個年輕而沉穩的聲音，在黑暗中響起。
燈光亮起！
聚光燈打在舞臺中央，李道鳴從側臺走出。
他穿着簡單的白襯衫和深色休閒褲，腳上是一雙帆布鞋。
這一身，全是公司每個季度免費發放的福利。
他今年還不到三十歲，卻已經是天工科技存儲芯片事業部的資深主管工程師。
同時，他也是青雲計劃一期成員。
二十六歲時，他就在《森聯科技前沿》上發表過十幾篇關於新型存儲芯片的論文。
他手裏沒有拿任何提詞器或筆記本。
很明顯，他準備全程脫稿。
在陳延森眼裏，李道鳴可是他的第十四名一級員工。
在注射過月源一號化合物後，別說是發佈會脫稿，就算讓他一目十行地看材料，多讀上幾遍，也能記個八九不離十。
按照陳延森的預測，像李道鳴這種從小讀書就“開掛”的人，精神力起碼有2個點。
打藥之後，保底都有4.5到5的水平。
只要給對方足夠的成長空間，將來的成就將無法想象。
但月源一號化合物的產能是會持續增加的。
能否從一羣開掛的人裏殺出來，還得看個人機遇。
“下午好。”
“今天，我想以一名研發工程師的身份，向大家介紹，我們是如何用四年時間，把一個在實驗室裏看似瘋狂的想法，變成今天的鯤鵬 V100芯片。”
李道鳴不緊不慢地說道。
他雖然年輕，卻格外沉穩。
更重要的是，他還是鯤鵬 V100芯片的項目主導人。
臺下，受邀而來的廬州科大校長眯着眼睛，滿臉笑容。
他都已經想好了，等發佈會一結束，但凡有記者採訪他，他都要大聲說上一句：“李道鳴是科大的優秀畢業生！”
大屏幕上的畫面隨之切換，出現了一張趨勢圖。
DRAM製程節點演進曲線，在10nm處幾乎停滯，像一張遭遇心臟驟停的心電圖。
“我剛加入天工科技的時候，老闆問了我一個問題。”
李道鳴轉身看向坐在第一排的陳延森。
後者微微點頭，示意他繼續。
“他說，道鳴，你覺得存儲芯片還能繼續進步嗎？”
“我當時的回答是，不能。”
臺下傳來一陣竊竊私語。
“不是我悲觀，而是物理學不允許。”
李道鳴說着，按下遙控器。
屏幕上出現了一個DRAM存儲單元的剖面圖。
“各位請看，這是傳統DRAM的1T1C結構，一個晶體管加一個電容。”
“電容用來存儲電荷，晶體管則用來控制讀寫。”
“看起來很簡單，對吧？”
“但當製程推進到10nm以下，電容的物理尺寸已經小到無法存儲足夠的電荷。”
“這就像你用一個針眼大小的水桶去裝水，水還沒裝滿，就已經從邊緣漏光了。”
“爲了解決這個問題，山星、SK海力士和美光等內存大廠，將電容做成深溝槽結構。”
“可是溝槽越深，刻蝕就越難，良率也越低！”
他的語速平穩，卻字字扎心。
這些都是行業痛點！
DRAM電容縮放逼近物理極限，3D NAND深寬比刻蝕良率告急。
所有人都陷入了EUV資本支出陷阱與多重曝光的成本牆中。
天工科技雖說擁有一定成本優勢，但那也是因爲星源科技提供了內部採購價。
他們能夠以全球最低價買入破曉 A3X EUV光刻機，以及6N級氖氣，但想大幅降低成本，也不是一件容易的事情。
“3D NAND也一樣。”
“從64層堆到128層，深寬比已經超過了60:1。”
“這是什麼概念？”
“相當於你要在一根頭髮絲粗細的管道里，鑽出60倍深度的孔，還要保證孔壁光滑、垂直、不塌陷。”
“晶圓邊緣的良率，已經低到不能看。”
李道鳴繼續說道。
他頓了頓，輕笑一聲：“這就是2018年存儲行業的真相。”
“不是不想進步，而是物理學按住了我們的脖子。”
“所以，老闆又問了我第二個問題。”
李道鳴話鋒一轉，眼神也亮了起來。
“如果不存儲電荷，我們還能存儲什麼？”
“答案是，存儲原子的狀態！”
說完，他往前邁了一步，擲地有聲地說道：“我們放棄了半導體行業堅持五十年的電荷存儲方案，轉向阻變存儲，也就是 ReRAM技術方案。”
“原理其實很簡單，在兩層金屬電極之間，夾一層只有幾納米厚的金屬氧化物。”
“施加電壓，氧原子會移動，形成導電的絲狀通道，電阻變低，這是1。”
“施加反向電壓，通道斷裂，電阻變高，這就是0。”
“不需要電容，不需要刷新，斷電之後，數據也不會丟失。”
臺下傳來一陣驚歎聲。
吳欣鴻低聲對雷逸軍說道：“這好像不是新技術啊！ReRAM幾年前就有人研究了，小日子在這上面可沒少花心思。”
雷逸軍嗯了一聲，小聲回道：“問題是一直沒人能量產，良率和一致性都是災難。”
首先，ReRAM器件間和循環間的電阻狀態並不穩定，容易導致寫入噪聲、位錯誤和高缺陷率。
這在大規模陣列生產中非常致命，很難保證高良率。
其次，耐久性和數據保持穩定性也較差。
說白了，就是不耐用。
最後，它的物理機制複雜，依賴導電細絲，不易精確控制，極易受到工藝、材料和噪聲的影響。
除此之外，控制器、固件、接口和軟件優化等，也都需要重新開發和驗證。
而現有DRAM、NAND生態已經極爲完善，替換成本極高。
這也是ReRAM長期無人問津的主要原因。
彷彿聽到了臺下腥诵难Y的疑問，李道鳴接着說道：
“但ReRAM也有一個致命問題，那就是交叉陣列的漏電流。”
大屏幕上出現了一個交叉陣列示意圖。
密密麻麻的橫豎線交織在一起，某些節點被標成了紅色。
“當你要讀取某個存儲單元時，電流並不會乖乖只走你選中的那條路。”
“它會從其他路徑偷溜過去。”
“這叫 sneak-path。”
“就像你在迷宮裏放水，水會從所有縫隙漏出去，而不是隻流向出口。”
“之前的解決方案，是給每個存儲單元加一個選擇器。”
“就像給每條路裝上一個單向閥門。”
“可是傳統選擇器，要麼面積太大，要麼一致性太差。”
說到這裏，李道鳴的聲音猛地加重了幾分。
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